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IXFP7N80P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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