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IXFQ12N80P Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Supplier Device Package | TO-3P |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
Power Dissipation (Max) | 360W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
IXFQ12N80P Unterlagen
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-
Datenblätter
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Andere schließen ein "IXFQ1" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IXFQ1'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IXFQ10N80P | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2711 |
IXFQ120N25X3 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2717 |
IXFQ140N20X3 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2621 |
IXFQ14N80P | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2509 |
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IXFQ12N80P Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXFQ12N80P Referenzpreis. IXFQ12N80P Parameter, IXFQ12N80P Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXFQ12N80P Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXFQ12N80P Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXFQ12N80P Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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