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IXFT18N100Q3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4890pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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