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IXFT30N50Q3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 690W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFT30N40Q IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 3789
IXFT30N50 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2796
IXFT30N50P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2707
IXFT30N50Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3432
IXFT30N60P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2777
IXFT30N60Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2606
IXFT30N60X IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 3432
IXFT30N85XHV IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2692
IXFT320N10T2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2573
IXFT320N10T2 IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren

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