IXFT52N30Q TRL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 300V 52A TO268

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 300V 52A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-268 (IXFT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 26A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IXFT52N30Q TRL-ND IXFT52N30QTRL
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A (Tc)
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