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IXFV52N30P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package PLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™ HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A (Tc)
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IXFV52N30PS IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2506

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IXFV52N30P Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXFV52N30P Referenzpreis. IXFV52N30P Parameter, IXFV52N30P Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXFV52N30P Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXFV52N30P Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXFV52N30P Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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