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IXFX20N80Q Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 20A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 10A, 10V
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IXFX20N120P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5359
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IXFX20N80Q Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXFX20N80Q Referenzpreis. IXFX20N80Q Parameter, IXFX20N80Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXFX20N80Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXFX20N80Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXFX20N80Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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