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IXFX32N80P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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