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IXFX80N50P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFX80N15Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2659
IXFX80N50Q3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 364
IXFX80N60P3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2588
IXFX88N20Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2752

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