IXGM20N60A Technische Spezifikationen

POWER MOSFET TO-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 480V, 20A, 82 Ohm, 15V
Switching Energy 2mJ (on), 2mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 200ns
Package / Case TO-204AE
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 40A 150W Through Hole TO-204AE
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 100ns/600ns
Supplier Device Package TO-204AE
Power - Max 150W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 120nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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