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IXKC25N80C Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Supplier Device Package ISOPLUS220™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) -
Package / Case ISOPLUS220™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXKC20N60C IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1285
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