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IXTA3N100D2HV Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 1.5A, 0V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Detailed Description N-Channel 1000V 3A (Tj) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263HV
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tj)
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