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IXTA60N20T Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 60A TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4530pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Trench™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTA60N10 IXYS Spezialisierte heiße ICs 2534
IXTA60N10T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2668
IXTA62N15P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4099
IXTA62N25T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2776
IXTA64N10L2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2660
IXTA64N10L2 IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
IXTA6N100D2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2693
IXTA6N50D2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2562
IXTA6N50P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2781

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