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IXTA86N20T Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 86A TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTA80N075L2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2592
IXTA80N10 IXYS Spezialisierte heiße ICs 2703
IXTA80N10T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3661
IXTA80N10T7 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2619
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IXTA88N085T7 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2744
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IXTA8N50P IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren

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