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IXTA90N055T Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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IXTA90N055T2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2665
IXTA90N075T2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2581
IXTA90N15T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2685
IXTA96P085T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2404
IXTA96P085TTRL IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2782
IXTA98N075T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2634
IXTA98N075T7 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2743

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