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IXTH02N450HV Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247HV
Power Dissipation (Max) 113W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 625 Ohm @ 10mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 246pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 4500V (4.5kV)
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IXTH02N250 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2773
IXTH04N300P3HV IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2737
IXTH06N220P3HV IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2567

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