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IXTH102N20T Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 102A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchHV™
Power Dissipation (Max) 750W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 102A (Tc)
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IXTH102N20T Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXTH102N20T Referenzpreis. IXTH102N20T Parameter, IXTH102N20T Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXTH102N20T Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXTH102N20T Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXTH102N20T Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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