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IXTH20N60 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MegaMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTH200N075T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2386
IXTH200N085T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
IXTH200N10T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2299
IXTH20N50D IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 13596
IXTH20N55 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2846
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IXTH20N60MA IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2714

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