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IXTH36N50P Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHV™ |
Power Dissipation (Max) | 540W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
IXTH36N50P Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IXTH36N50P
-
Datenblätter
IXTH36N50P.pdf
Andere schließen ein "IXTH3" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IXTH3'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IXTH300N04T2 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 36685 |
IXTH30N25 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5821 |
IXTH30N50 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2718 |
IXTH30N50L | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 6010 |
IXTH30N50L2 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5719 |
IXTH30N50L2 | IXYS | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IXTH30N50P | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2621 |
IXTH30N60L2 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5841 |
IXTH30N60L2 | IXYS | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IXTH30N60P | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 32363 |
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