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IXTH3N150 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1375pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V (1.5kV)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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