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IXTK250N10 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-264 (IXTK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MegaMOS™
Power Dissipation (Max) 730W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTK200N10L2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 705
IXTK200N10P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2754
IXTK20N140 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 3432
IXTK20N150 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1617
IXTK20N150 IC IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 1476
IXTK210P10T IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2344
IXTK21N100 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2978
IXTK21N100L IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2813
IXTK22N100 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 5
IXTK22N100L IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2533

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