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IXTM5N100 Technische Spezifikationen

POWER MOSFET TO-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Package / Case TO-204AA, TO-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-204AA
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 1000V 5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-204AA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTM50N20 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2643
IXTM5N100A IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2731

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