IXTN30N100L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 15A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-227B
Power Dissipation (Max) 800W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 545nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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