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IXTP1R4N120P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 666pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IXTP10N60PM IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2576
IXTP10P15T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4784
IXTP10P50P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5301
IXTP110N055P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 14888
IXTP110N055T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 31968
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IXTP1R4N120P Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXTP1R4N120P Referenzpreis. IXTP1R4N120P Parameter, IXTP1R4N120P Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXTP1R4N120P Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXTP1R4N120P Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXTP1R4N120P Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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