IXTP27N20T Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 27A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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IXTP200N055T IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 571
IXTP200N055T2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10445
IXTP200N075T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2700
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IXTP220N055T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23169

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