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IXTP3N100D2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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