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IXTP75N10P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTP70N075T2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 55020
IXTP70N085T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50399
IXTP72N20T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 33580
IXTP74N15T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 33537
IXTP75N10P MOS IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 22938
IXTP76N075T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 573
IXTP76N15T2 IXYS Spezialisierte heiße ICs 2570
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IXTP76P10T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2501
IXTP7N45 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 17888

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