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IXTP90N055T2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 90A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2770pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTP90N055T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 22904
IXTP90N075T2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1318
IXTP90N15T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
IXTP96P085T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
IXTP98N075T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2478
IXTP9P15A IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 32363
IXTP9P20A IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 32363
IXTP9P25 IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 32363

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