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IXTQ182N055T Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4850pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMV™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 182A (Tc)
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