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IXTQ30N60L2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Linear L2™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 335nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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IXTQ30N60L2 Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXTQ30N60L2 Referenzpreis. IXTQ30N60L2 Parameter, IXTQ30N60L2 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXTQ30N60L2 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXTQ30N60L2 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXTQ30N60L2 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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