IXTT16N10D2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 8A, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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