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IXTT26N60P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 460W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTT20N50D IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2745
IXTT20P50P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2538
IXTT24P20 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2746
IXTT24P20 IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
IXTT26N50P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2684
IXTT2N170D2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2696
IXTT2N300P3HV IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2671

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