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IXTT4N150HV Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1576pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) 280W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V (1.5kV)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IXTT4N150HV Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXTT4N150HV Referenzpreis. IXTT4N150HV Parameter, IXTT4N150HV Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXTT4N150HV Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXTT4N150HV Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXTT4N150HV Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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