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IXTT60N10 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 60A TO-268

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTT60N20L2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2755
IXTT64N25P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2516
IXTT68P20T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2606
IXTT69N30P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2724
IXTT6N120 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2670
IXTT6N120 IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren

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