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IXTV18N60P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package PLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTV102N20T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2775
IXTV102N25T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2770
IXTV110N25TS IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2566
IXTV120N15T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2548
IXTV130N15T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2634
IXTV18N60PS IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2264

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