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IXTX120P20T Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 73000pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchP™
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTX102N65X2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2622
IXTX110N20L2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2529
IXTX120N65X2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2790
IXTX170P10P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2618
IXTX17N120L IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2718
IXTX1R4N450HV IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2737

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