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IXTY2R4N50P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTY24N15T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
IXTY26P10T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18949
IXTY2N100P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
IXTY2N100P IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
IXTY2N60P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
IXTY2N65X2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2636
IXTY2N80P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32365

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