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MIXA40WB1200TED Technische Spezifikationen

IGBT MODULE 1200V 40A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package E2
Package / Case E2
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce -
IGBT Type PT
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Power - Max 195W
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Three Phase Bridge Rectifier
Current - Collector Cutoff (Max) 2.1mA
Configuration Three Phase Inverter with Brake
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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MIXA40W1200TMH IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Module 2603
MIXA40W1200TMH IXYS IGBT-Module
MIXA40W1200TML IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Module 2767
MIXA40W1200TML IXYS IGBT-Module
MIXA40WB1200TED IXYS IGBT-Module
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MIXA450PF1200TSF IXYS IGBT-Module

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