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MMIX1F210N30P3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 300V 108A MMIX

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Supplier Device Package 24-SMPD
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 105A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, Polar3™
Power Dissipation (Max) -
Package / Case 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 108A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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MMIX1F210N30P3 Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, MMIX1F210N30P3 Referenzpreis. MMIX1F210N30P3 Parameter, MMIX1F210N30P3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MMIX1F210N30P3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MMIX1F210N30P3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MMIX1F210N30P3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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