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IXFX55N50F Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS RF
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerRF™
Power Dissipation (Max) 560W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 27.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names Q1649656
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 14 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
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IXFX55N50F Markenhersteller: IXYS RF, Bonchip Aktie, IXFX55N50F Referenzpreis. IXFX55N50F Parameter, IXFX55N50F Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXFX55N50F Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXFX55N50F Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXFX55N50F Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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