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AUIRF2903Z Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 290W
Turn On Delay Time 24 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A Tc
Rise Time 100ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 48 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Nominal Vgs 2 V
Length 10.66mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 290W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6320pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 37 ns
Continuous Drain Current (ID) 160A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0024Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 820 mJ
Height 16.51mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
AUIRF1010EZ IR Spezialisierte heiße ICs 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010S IR Spezialisierte heiße ICs 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010ZL IR Spezialisierte heiße ICs 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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