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AUIRF7303QTR Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation 2.4W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 2.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Threshold Voltage 1V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.9A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50m Ω @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 515pF @ 25V
Rise Time 6.2ns
Fall Time (Typ) 7.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.05Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
AUIRF1010EZ IR Spezialisierte heiße ICs 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010S IR Spezialisierte heiße ICs 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010ZL IR Spezialisierte heiße ICs 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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