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AUIRF9540N Technische Spezifikationen

AUIRF9540N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 140W Tc
Power Dissipation 140W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Tc
Rise Time 67ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 51 ns
Continuous Drain Current (ID) -23A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage -100V
Height 16.51mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Other Transistors
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 51 ns
Threshold Voltage -2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 76A
Length 10.66mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
AUIRF1010EZ IR Spezialisierte heiße ICs 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010S IR Spezialisierte heiße ICs 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010ZL IR Spezialisierte heiße ICs 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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