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AUIRFR1018E Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 79A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 110W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4m Ω @ 47A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 46 ns
Continuous Drain Current (ID) 56A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 79A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number AUIRFR1018E
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 110W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0084Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 88 mJ
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
AUIRF1010EZ IR Spezialisierte heiße ICs 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010S IR Spezialisierte heiße ICs 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010ZL IR Spezialisierte heiße ICs 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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