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AUIRFR4292 Technische Spezifikationen

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2015
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 100W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 345m Ω @ 5.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 705pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9.3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
AUIRF1010EZ IR Spezialisierte heiße ICs 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010S IR Spezialisierte heiße ICs 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
AUIRF1010ZL IR Spezialisierte heiße ICs 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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