BAW56WE6327HTSA1 Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Diode Element Material SILICON
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.10.00.70
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code unknown
Base Part Number BAW56W
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 0.25W
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 150nA @ 70V
Forward Current 200mA
Output Current-Max 0.2A
Max Reverse Voltage (DC) 80V
Reverse Recovery Time 4 ns
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish MATTE TIN
Min Operating Temperature -65°C
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 2
Element Configuration Common Anode
Diode Type Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA
Operating Temperature - Junction 150°C Max
Current - Average Rectified (Io) 200mA DC
Average Rectified Current 200mA
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 80V
RoHS Status RoHS Compliant
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BAW56 Fairchild/ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 140216
BAW56 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 1487732
BAW56 ON Semiconductor Gleichrichter-Dioden-Array
BAW56 Rochester Electronics, LLC Gleichrichter-Dioden-Array
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