BCR 114L3 E6327 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Discontinued
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Number of Elements 1
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Power Dissipation-Max (Abs) 0.25W
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case SC-101, SOT-883
Transistor Element Material SILICON
Published 2003
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Reach Compliance Code unknown
Power - Max 250mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 160MHz
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BCR 101L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2668
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BCR 103F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2788
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