BCR 191T E6327 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Discontinued
Base Part Number BCR191
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case SC-75, SOT-416
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BCR 101L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2668
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BCR 101T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2762
BCR 101T E6327 Infineon Technologies Vorbelastete BJT-Transistoren
BCR 103F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2788
BCR 103F E6327 Infineon Technologies Vorbelastete BJT-Transistoren
BCR 103L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2699
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