BCR108WE6327BTSA1 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 250mW
Power - Max 250mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 170MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-SOT323-3
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Base Part Number BCR108
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
RoHS Status RoHS Compliant
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BCR10001FMAHWS Electro-Films (EFI) / Vishay Chip-Widerstand - Oberflächenmontage 2504
BCR10001FMAHWT Electro-Films (EFI) / Vishay Chip-Widerstand - Oberflächenmontage 2746
BCR1000BFMAHWS Electro-Films (EFI) / Vishay Chip-Widerstand - Oberflächenmontage 2617
BCR1000BFMAHWT Electro-Films (EFI) / Vishay Chip-Widerstand - Oberflächenmontage 2733
BCR100B-10 MITSUBISHI Spezialisierte heiße ICs 2922
BCR100B-12 MITSUBISHI Spezialisierte heiße ICs 2781
BCR100B-16 MITSUBISHI Spezialisierte heiße ICs 2740
BCR100B-8 MITSUBISHI Spezialisierte heiße ICs 2957
BCR103T E6327 INFINEON Spezialisierte heiße ICs 51466
BCR108 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 128458

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