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BCR169WE6327HTSA1 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 250mW
Power - Max 250mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-SOT323-3
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Base Part Number BCR169
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
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BCR162 Siemens Spezialisierte heiße ICs 234068
BCR162 E6327 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 21992
BCR162-E6327 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 15500
BCR162E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2556
BCR162E6327HTSA1 Infineon Technologies Vorbelastete BJT-Transistoren
BCR162E6327HTSA1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
BCR162F-E6327 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 42289
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BCR169WE6327HTSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, BCR169WE6327HTSA1 Referenzpreis. BCR169WE6327HTSA1 Parameter, BCR169WE6327HTSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BCR169WE6327HTSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BCR169WE6327HTSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BCR169WE6327HTSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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